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SP6033	文件：557.61 Kbytes Page：6 Pages	High Performance Synchronous Rectifying Converter DESCRIPTION SP6033 is a high performance and tightly integrated secondary side synchronous rectifying converter for switching mode power supply system. It combines a low Rdson N-channel MOSFET to emulate the traditional diode rectifier at the secondary side of Flyback converter, The fundamental o 文件：557.61 Kbytes 页数：6 Pages	SYNC-POWER 擎力科技	SYNC-POWER
SP6033T255RGB	文件：557.61 Kbytes Page：6 Pages	丝印：SP6033；Package：TO-252-5L；High Performance Synchronous Rectifying Converter DESCRIPTION SP6033 is a high performance and tightly integrated secondary side synchronous rectifying converter for switching mode power supply system. It combines a low Rdson N-channel MOSFET to emulate the traditional diode rectifier at the secondary side of Flyback converter, The fundamental o 文件：557.61 Kbytes 页数：6 Pages	SYNC-POWER 擎力科技	SYNC-POWER
SP6033	文件：300 bytes Page：1 Pages	DC/DC Buck Converter	SiiPower 台湾芯派	SiiPower
STA-6033	文件：264.98 Kbytes Page：8 Pages	Product Description [Sirenza] Product Description Sirenza Microdevices’ STA-6033 is a high efficiency class AB Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) amplifier housed in a low-cost surface-mountable plastic package. This HBT amplifier is made with InGaP on GaAs device technology and fabricated with MOCVD for an id 文件：264.98 Kbytes 页数：8 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
STA-6033	文件：203.55 Kbytes Page：8 Pages	4.9 - 5.9 GHz 3.3V Power Amplifier Product Description Sirenza Microdevices’ STA-6033 is a high efficiency class AB Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) amplifier housed in a low-cost surface-mountable plastic package. This HBT amplifier is made with InGaP on GaAs device technology and fabricated with MOCVD for an ideal combina 文件：203.55 Kbytes 页数：8 Pages	SIRENZA	SIRENZA
STA-6033Z	文件：203.55 Kbytes Page：8 Pages	4.9 - 5.9 GHz 3.3V Power Amplifier Product Description Sirenza Microdevices’ STA-6033 is a high efficiency class AB Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) amplifier housed in a low-cost surface-mountable plastic package. This HBT amplifier is made with InGaP on GaAs device technology and fabricated with MOCVD for an ideal combina 文件：203.55 Kbytes 页数：8 Pages	SIRENZA	SIRENZA

技术参数

Vout(V)：
ADJ
Iout(A)：
1.8、3.3
FOSC(kHz)：
52
Package：
ESOP-8/TO252-5
Features-1：
Non-Synchronous
Features-2：
高壓降壓

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
艾睿（深圳）半导体有限公司	SP60351R2YLB	ABC	2447	SMD	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
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兆亿微波(北京)科技有限公司	SP60405	SIGATEK	4路分频器		182		询价

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