0.2pF, 12kV, 0.6V Breakdown Avalanche Diode for Ultra High Speed Interfaces

Description Benchmark setting breakdown voltage performance, protecting sub 20 nm I/O’s. Finer geometry chip designs run the risk of damage at voltage levels higher than 3.3V. The SP33R6 is a breakdown avalanche diode for ultra high speed interfaces and it provides headroom to support all of

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LITTELFUSE

力特

丝印：AUG；Package：UDFN-10；0.2pF, 12kV, 0.6V Breakdown Avalanche Diode for Ultra High Speed Interfaces

Description Benchmark setting breakdown voltage performance, protecting sub 20 nm I/O’s. Finer geometry chip designs run the risk of damage at voltage levels higher than 3.3V. The SP33R6 is a breakdown avalanche diode for ultra high speed interfaces and it provides headroom to support all of

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低电容ESD保护

Littelfuse产品并非为相关Littelfuse产品文件中明确说明的用途以外的其他用途而设计，也不应被用于这些用途（包括但不限于汽车、军事、航空航天、医疗、救生、维生或核设施应用、用于手术植入体内的装置、或者在产品故障或运行无法达到理想状态的情况下会造成人身伤害、死亡或财产损失的任何其他应用）。 如果将产品用于相关Littelfuse文件中未明确说明的任何其他用途，则产品不享受Littelfuse质保。 如果将产品用于相关Littelfuse文件中未明确说明的其他用途，则Littelfuse不会为因此造成的任何索赔或损失承担责任。 除非经Littelfuse另行许可，否则Littelfu • ESD，IEC 61000-4-2，±12kV接触放电，±15kV空气放电 \n• EFT，IEC 61000-4-4，40A（5/50ns） \n• 雷击，3A (IEC 61000-4-5第2版中定义的8/20μs） \n• 低电容：每次输入/输出的电容为0.2pF (TYP) \n• 无卤素，无铅，符合RoHS要求;

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Package：10-UFDFN；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：电路保护 TVS - 二极管 描述：TVS DIODE ARRAY 12KV UDFN-10L

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