雷击电涌保护

SP2555NUTG是一款低电容瞬态抑制二极管阵列， 设计用于为高速差分数据线路提供针对ESD（静电 放电）、CDE（电缆放电）、EFT（电气 快速瞬变）以及雷击感应浪涌 的 保护。 它采用μDFN 封装（3.0 x 2.0毫米），每个器件均可保护多达 4个信道或2个差分线对，最高电流可达45A（IEC第61000 4- 5 2版 ），最高电压可达30kV ESD（IEC 61000-4-2）。 “直通型”设计可保障信号完整性、减少 电压过冲并简化PCB设计。\n SP2555NUTG具有低电容和低 箝位电压，是笔记本电脑、开关中 1GbE应用等高速数据接口的 理想选择。 • ESD，IEC 61000-4-2， ±30kV接触放电，±30kV空气放电\n•  EFT，IEC 61000-4-4，40A（5/50ns）\n• 雷击，IEC61000-4-5第2版，45A (tP=8/20μs)\n• 0V条件下每个输入/输出电容低至2.5pF（TYP）\n• 电压2.5V时的低泄漏电流为0.1μA（TYP）\n• μDFN-10封装针对高速数据线布局经过优化\n• 为两个电流高达45A的差分数据线对（4信道）提供保护\n• 低工作电压和箝位电压\n• 符合AEC-Q101\n• 无卤素，无铅，符合RoHS;

Littelfuse

力特

SP2555NUTG 2.5V 45A Diode Array

文件：2.5706 Mbytes 页数：5 Pages

Littelfuse

力特

Package：10-UDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：电路保护 TVS - 二极管 描述：TVS DIODE 2.5VWM 19VC 10UDFN

Littelfuse

力特

N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ● Super high dense cell design for low RDS(ON). ● Rugged and reliable. ● TO-252 and TO-251 Package.

文件：868.39 Kbytes 页数：8 Pages

Samhop

三合微科

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件：963.81 Kbytes 页数：7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ● Super high dense cell design for low RDS(ON). ● Rugged and reliable. ● TO-252 and TO-251 Package.

文件：868.39 Kbytes 页数：8 Pages

Samhop

三合微科