丝印：AAKX；Package：1.6x1.0DFN；SP11xx Series Discrete Unidirectional TVS Diode

Description Avalanche breakdown diodes fabricated in a proprietary silicon avalanche technology protect each I/O pin to provide a high level of protection for electronic equipment that may experience destructive electrostatic discharges (ESD). These robust diodes can safely absorb repetitive

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普通ESD保护

采用专有硅雪崩技术装配的齐纳二极管， 保护每一输入/输出引脚，为可能经历 破坏性静电放电（ESD） 的电子设备提供高层次保护。 这些功能强大的 二极管可安全地吸收±30kV时反复性ESD震击 （接触放电和空气放电，IEC 61000-4-2）， 而性能丝毫不会减退。 此外，每个二极管 还可在极低的箝位电压下安全耗散80A (SP1105S)的8/20μs波形浪涌电流（IEC 61000-4-5 2 版）。 • ESD，IEC 61000-4-2，±30kV接触放电，±30kV空气放电\n• EFT，IEC 61000-4-4，40A（5/50ns）\n• 雷击，IEC61000-4-5第2版，80A（tP=8/20μs，SP1105S）\n• 低箝位电压\n• 泄露电流低\n• 湿度灵敏性等级（MSL-1）\n• 无铅，符合RoHS标准;

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Package：0603（1610 公制）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：电路保护 TVS - 二极管 描述：TVS DIODE 5VWM 10.9VC 2DFN

Littelfuse Inc.

TVS Diode Arrays (SPA ? Diodes) SC11xx Series Discrete Unidirectional TVS Diode

文件：1.16116 Mbytes 页数：6 Pages

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