80A Discrete Bidirectional TVS Diode

Description The SP1103C includes TVS diodes fabricated in a proprietary silicon avalanche technology protect each I/O pin to provide a high level of protection for electronic equipment that may experience destructive electrostatic discharges (ESD). These robust diodes can safely absorb repeti

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丝印：AFKX；Package：1.6x1.0DFN；80A Discrete Bidirectional TVS Diode

Description The SP1103C includes TVS diodes fabricated in a proprietary silicon avalanche technology protect each I/O pin to provide a high level of protection for electronic equipment that may experience destructive electrostatic discharges (ESD). These robust diodes can safely absorb repeti

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普通ESD保护

SP1103C包括采用 专有硅雪崩技术制造的瞬态抑制二极管，可保护每个 输入/输出引脚，为可能经历 破坏性静电放电 (ESD) 的电子设备提供 高级别保护。这种功能强大的二极管可以在 30kV（接触放电， ±IEC61000-4-2）的环境中安全地吸收 反复性ESD放电，且性能不会下降。 此外，每个二极管还可在极低的箝位电压下安全耗散80A的8/20ms 浪涌电流（IEC61000-4-5，第2版）。 •  ESD，IEC 61000-4-2，±30kV接触放电，±30kV空气放电\n• EFT，IEC 61000-4-4，40A（5/50ns）\n• 雷击，IEC61000-4-5第2版，80A（tp=8/20μs）\n• 低箝位电压\n• 泄露电流低\n• 湿度灵敏性等级（MSL-1）\n• 无卤素，无铅，符合RoHS\n• 符合AEC-Q101 ;

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Package：0603（1610 公制）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：电路保护 TVS - 二极管 描述：TVS DIODE 3.3VWM 9VC 2DFN

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