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SOD-123P	文件：173.8 Kbytes Page：2 Pages	Packaging Information	TOREXTorex Semiconductor 特瑞仕特瑞仕半导体株式会社	TOREX
SQJ123ELP	文件：219.67 Kbytes Page：8 Pages	AutomotiveP-Channel12V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQJ123ELP	文件：222.22 Kbytes Page：8 Pages	AutomotiveP-Channel12V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQJ123ELP	文件：314.46 Kbytes Page：8 Pages	AutomotiveP-Channel12V(D-S)175°CMOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •AEC-Q101qualified •100RgandUIStested •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SSM-123-L-DV-LC	文件：284.41 Kbytes Page：1 Pages	TIGERCLAW??SURFACEMOUNTSOCKET	Samtec Samtec, Inc	Samtec
STD123	文件：268.99 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Lowsaturationmediumcurrentapplication ●Extremelylowcollectorsaturationvoltage ●Suitableforlowvoltagelargecurrentdrivers ●HighDCcurrentgainandlargecurrentcapability ●Lowonresistance:RON=0.6Ω(Max.)(IB=1mA） APPLICATIONS ●NPNSiliconEpitaxialPlanarTr	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
STD123	文件：180.34 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor Features •Lowsaturationmediumcurrentapplication •Extremelylowcollectorsaturationvoltage •Suitableforlowvoltagelargecurrentdrivers •HighDCcurrentgainandlargecurrentcapability •Lowonresistance:RON=0.6Ω(Max.)(IB=1mA)	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
STD123	文件：182.66 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistor Features •Lowsaturationmediumcurrentapplication •Extremelylowcollectorsaturationvoltage •Suitableforlowvoltagelargecurrentdrivers •HighDCcurrentgainandlargecurrentcapability •Lowonresistance:RON=0.6Ω(Max.)(IB=1mA)	AUK AUK corp	AUK
STD123	文件：180.34 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
STD123AS	文件：261.92 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
STD123AS	文件：157.7 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor Features •Highβ&lowsaturationtransistor. hFE=400Min.@VCE=1V,Ic=100mA •Suitableforlargecurrentdrivedirectly. •ApplicationforIREDDrivetransistorinremotetransmitter.	AUK AUK corp	AUK
STD123AS	文件：273.16 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor Features •Highβ&lowsaturationtransistor. •hFE=400Min.@VCE=1V,Ic=100mA •Suitableforlargecurrentdrivedirectly. •ApplicationforIREDDrivetransistorin remotetransmitter.	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
STD123ASF	文件：262.91 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor Features •Highβ&lowsaturationtransistor. hFE=400Min.@VCE=1V,Ic=100mA •Suitableforlargecurrentdrivedirectly. •ApplicationforIREDDrivetransistorinremote transmitter.	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
STD123ASF	文件：190.23 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistor Features •Highβ&lowsaturationtransistor. hFE=400Min.@VCE=1V,Ic=100mA •Suitableforlargecurrentdrivedirectly. •ApplicationforIREDDrivetransistorinremotetransmitter.	AUK AUK corp	AUK
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STD123N	文件：213.06 Kbytes Page：3 Pages	EpitaxialplanarNPNsilicontransistor Description •Highcurrentapplication Features •Extremelylowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.1V(Typ.)@IC=500mA,IB=50mA •Suitableforlowvoltagelargecurrentdrivers •HighDCcurrentgainandlargecurrentcapability •Lowonresistance:RON=0.6Ω(Max.)@IB=1mA	AUK AUK corp	AUK
STD123S	文件：1.57374 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Lowsaturationmediumcurrentapplication Extremelylowcollectorsaturationvoltage Suitableforlowvoltagelargecurrentdrivers HighDCcurrentgainandlargecurrentcapability Lowonresistance:RON=0.6Ω(Max.)(IB=1mA)	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
STD123S	文件：252.33 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor Features •Lowsaturationmediumcurrentapplication •Extremelylowcollectorsaturationvoltage •Suitableforlowvoltagelargecurrentdrivers •HighDCcurrentgainandlargecurrentcapability •Lowonresistance:RON=0.6Ω(Max.)(IB=1mA)	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
STD123S	文件：944.74 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Lowsaturationmediumcurrentapplication ●Extremelylowcollectorsaturationvoltage ●Suitableforlowvoltagelargecurrentdrivers ●HighDCcurrentgainandlargecurrentcapability ●Lowonresistance:RON=0.6Ω(Max.)(IB=1mA)	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
STD123S	文件：70.13 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistor Features •Lowsaturationmediumcurrentapplication •Extremelylowcollectorsaturationvoltage •Suitableforlowvoltagelargecurrentdrivers •HighDCcurrentgainandlargecurrentcapability •Lowonresistance:RON=0.6Ω(Max.)(IB=1mA)	AUK AUK corp	AUK

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳兆威电子有限公司	SOD151-SH	LRC/乐山无线电	22+	SOD-123FL	3000	原装正品现货	询价
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更多SOD-123P供应商更新时间2024-9-21 10:50:00

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