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SNSS40600CF8T1G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
SNSS40600CF8T1G |
参数属性 | SNSS40600CF8T1G 封装/外壳为8-SMD,扁平引线;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 40V 6A CHIPFET |
功能描述 | 40 V, 7.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor |
封装外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
文件大小 |
104.17 Kbytes |
页面数量 |
6 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | ONSEMI |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-5 11:20:00 |
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SNSS40600CF8T1G规格书详情
SNSS40600CF8T1G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体公司制造生产的SNSS40600CF8T1G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
更多- 产品编号:
SNSS40600CF8T1G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
220mV @ 400mA,4A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
10µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
220 @ 1A,2V
- 频率 - 跃迁:
100MHz
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-SMD,扁平引线
- 供应商器件封装:
ChipFET™
- 描述:
TRANS PNP 40V 6A CHIPFET
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
2511 |
SOT-563 |
360000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-563 |
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三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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24+ |
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SAMTEC |
2447 |
SMD |
100500 |
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SAMTEC |
20+ |
主营砷泰 |
12330 |
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SAMTEC/申泰 |
22+ |
CONN |
18000 |
原装正品 |
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SAMTEC/申泰 |
25+ |
CONN |
860000 |
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24+ |
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