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SNN200L10D

丝印:SNN200L10;Package:TO-252;N-Ch Trench MOSFET

文件:433.11 Kbytes 页数:8 Pages

KODENSHI

可天士

SNN200L10D

Low Voltage Trench MOSFETs

Kodenshi-AUK

技术参数

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N-ch

  • VDSS (V):

    100

  • ID (A):

    49

  • PD (W):

    83

  • RDS(on)Max. (Ω)atVGS=10V:

    25

  • Qg Typ.(nC)atVGS=10V:

    30.5

  • Ciss Typ.(pF):

    2154

  • VGS(th)@ID=250uA_Min. (V):

    1.2

  • VGS(th)@ID=250uA_Max. (V):

    2.5

  • Features:

    Trench MOSFET

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更多SNN200L10D供应商 更新时间2026-1-30 14:02:00