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SNM067500EAQ-3/TR	文件：300 bytes Page：1 Pages	Single N-channel, 60V, 212mA, Power MOSFET SNM067500EAQ Single N-channel, 60V, 212mA, Power MOSFETThe SNM067500EAQ is N-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in DC-DC conversion, power switch and charging c	SIT 赛特时脉	SIT

技术参数

VDS (V) (Max.)：
60
VGS(V) (Max.)：
±20V
VGS(th) (V) (Typ.)：
1.0/1.5/2.3
Ron(mΩ)@ 10V：
/4000/7500
Ron(mΩ)@ 4.5V：
/4000/8000
Id(A)：
212m
MPQ：
3k
封装：
SOT-23
状态：
Active

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SNM067500EAQ-3/TR供应商更新时间2025-11-29 16:06:00

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