| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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7年
留言
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TISOIC |
7786 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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8年
留言
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TISOIC |
7786 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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13年
留言
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TISOP16 |
2500 |
24+ |
进口原装现货/假一赔十 |
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5年
留言
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TI/德州仪器SOP16 |
4000 |
25+ |
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7年
留言
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TI(德州仪器)SOP-16 |
935 |
24+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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8年
留言
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TISOIC-16 |
21000 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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TISOIC-16 |
20948 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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16年
留言
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TISOP16 |
35830 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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16年
留言
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TI16-SOIC |
53650 |
20+ |
TI原装主营-可开原型号增税票 |
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3年
留言
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TI/德州仪器SOIC-16 |
20000 |
22+ |
公司只有原装 品质保障 |
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12年
留言
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TexasInstrumentsNA |
3000 |
24+ |
进口原装正品优势供应 |
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1年
留言
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TISOIC-16 |
13579 |
1921+ |
原装正品,支持实单 |
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13年
留言
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TISOIC (D) |
6000 |
25+ |
原厂原装,价格优势 |
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7年
留言
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TI-德州仪器16-SOIC |
9328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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14年
留言
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TISOP16 |
1000 |
25+ |
主打产品,长备大量现货 |
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12年
留言
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TexasInstrumentsICHVDARLTRANSARRAY16-SOI |
6800 |
18+ |
公司原装现货/欢迎来电咨询! |
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5年
留言
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TI |
60000 |
2021+ |
原装现货,欢迎询价 |
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13年
留言
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TI/德州仪器QFP216 |
9600 |
24+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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6年
留言
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TISMD16 |
35200 |
24+ |
一级代理分销/放心采购 |
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5年
留言
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TI? |
7500 |
1701+ |
只做原装进口,假一罚十 |
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SN75469D图片
SN75469DR价格
SN75469DR价格:¥1.7536品牌:TI
生产厂家品牌为TI的SN75469DR多少钱,想知道SN75469DR价格是多少?参考价:¥1.7536。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SN75469DR批发价格及采购报价,SN75469DR销售排行榜及行情走势,SN75469DR报价。
SN75469D中文资料Alldatasheet PDF
更多SN75469D功能描述:达林顿晶体管 Hi Vltg Darlington Transistor Arrays RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
SN75469DE4功能描述:达林顿晶体管 Hi Vltg Darlington Transistor Arrays RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
SN75469DG4功能描述:达林顿晶体管 Hi Vltg Darlington Transistor Arrays RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
SN75469DR功能描述:达林顿晶体管 Hi Vltg Darlington Transistor Arrays RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
SN75469DRE4功能描述:达林顿晶体管 Hi Vltg Darlington Transistor Arrays RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
SN75469DRG4功能描述:达林顿晶体管 Hi Vltg Darlington Transistor Arrays RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
产品属性
- 产品编号:
SN75469D
- 制造商:
Texas Instruments
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
- 系列:
Automotive, AEC-Q100
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
7 NPN 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
500mA
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
100V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1.6V @ 500µA,350mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:
16-SOIC
- 描述:
TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SO























