SN75468分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
SN75468 |
| 参数属性 | SN75468 封装/外壳为16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列；产品描述：TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SO |
| 功能描述 | DARLINGTON TRANSISTOR ARRAYS |
| 封装外壳 | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 文件大小 |
159.34 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | TI |
| 中文名称 | 德州仪器 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-19 22:58:00 |
| 人工找货 | SN75468价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
SN75468规格书详情
SN75468属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列。由德州仪器制造生产的SN75468晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列双极晶体管阵列在同一封装中包含两个或更多的分立晶体管，这些晶体管可在电气上完全隔离，也可在器件封装内部以某种形式互连。阵列中包含的器件具有相近或互补的特性，采用共同封装可最大程度减小器件在工作过程中的温差。
产品属性
更多- 产品编号：
SN75468DE4
- 制造商：
Texas Instruments
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
- 系列：
Automotive, AEC-Q100
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
7 NPN 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
500mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
100V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.6V @ 500µA，350mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：
16-SOIC
- 描述：
TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SO
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
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