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SN74LVC1G38DCKR.A	文件：1.97409 Mbytes Page：37 Pages	SN74LVC1G38 Single 2-Input NAND Gate With Open-Drain Output 1 Features 1• Latch-up performance exceeds 100 mA Per JESD 78, Class II • ESD protection exceeds JESD 22 – 2000-V Human-body model (A114-A) – 200-V Machine model (A115-A) – 1000-V Charged-device model (C101) • Available in the Texas Instruments NanoStar™ and NanoFree™ Packages • Supports 文件：1.97409 Mbytes 页数：37 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74LVC1G38DCKR.B	文件：1.97409 Mbytes Page：37 Pages	SN74LVC1G38 Single 2-Input NAND Gate With Open-Drain Output 1 Features 1• Latch-up performance exceeds 100 mA Per JESD 78, Class II • ESD protection exceeds JESD 22 – 2000-V Human-body model (A114-A) – 200-V Machine model (A115-A) – 1000-V Charged-device model (C101) • Available in the Texas Instruments NanoStar™ and NanoFree™ Packages • Supports 文件：1.97409 Mbytes 页数：37 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74LVC1G38DCKT	文件：263.95 Kbytes Page：12 Pages	SINGLE 2-INPUT NAND GATE WITH OPEN-DRAIN OUTPUT 文件：263.95 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74LVC1G38DCKT	文件：1.12934 Mbytes Page：21 Pages	Single 2-Input NAND Gate With Open-Drain Output 文件：1.12934 Mbytes 页数：21 Pages	TI 德州仪器	TI

更多SN74LVC1G38DCKR.A供应商更新时间2025-11-25 16:32:00