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SN74LVC1G386DRYR集成电路(IC)的门反相器规格书PDF中文资料

SN74LVC1G386DRYR
厂商型号

SN74LVC1G386DRYR

参数属性

SN74LVC1G386DRYR 封装/外壳为6-UFDFN;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的门反相器;产品描述:IC GATE XOR 1CH 3-INP 6SON

功能描述

Single 3-Input Positive-XOR Gate
IC GATE XOR 1CH 3-INP 6SON

丝印标识

C8

封装外壳

SON / 6-UFDFN

文件大小

1.73058 Mbytes

页面数量

29

生产厂商 Texas Instruments
企业简称

TI2德州仪器

中文名称

美国德州仪器公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-22 22:59:00

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SN74LVC1G386DRYR规格书详情

SN74LVC1G386DRYR属于集成电路(IC)的门反相器。由美国德州仪器公司制造生产的SN74LVC1G386DRYR门和反相器逻辑栅极和逆变器系列中的产品对单个逻辑信号执行基本逻辑运算(例如 AND、NOT、OR 等)。与触发器不同,它们不能够存储信息,不会对提供给其输入的信号立即做出响应。虽然早就被集成电路实施形式所取代,以用于实现复杂功能,但分立栅极仍可在仅需要非常简单逻辑功能的情况下使用。

1FEATURES

2• Available in the Texas Instruments

NanoStar ™ and NanoFree™

Packages

• Supports 5-V VCC Operation

• Inputs Accept Voltages to 5.5 V

• Supports Down Translation to VCC

• I off Supports Live Insertion, Partial-Power-

Down Mode, Back-Drive Protection

• Latch-Up Performance Exceeds 100 mA

Per JESD 78, Class II

• ESD Protection Exceeds JESD 22

– 2000-V Human-Body Model (A114-A)

– 200-V Machine Model (A115-A)

– 1000-V Charged-Device Model (C101)

DESCRIPTION

The SN74LVC1G386 device performs the Boolean

function Y = A × B × C in positive logic.

NanoStar™ and NanoFree™ package technology is

a major breakthrough in IC packaging concepts,

using the die as the package.

This device is fully specified for partial-power-down

applications using Ioff. The Ioff circuitry disables the

outputs, preventing damaging current backflow

through the device when it is powered down.

产品属性

更多
  • 产品编号:

    SN74LVC1G386DRYR

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 类别:

    集成电路(IC) > 门和反相器

  • 系列:

    74LVC

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 逻辑类型:

    XOR(异或)

  • 输入数:

    3

  • 电压 - 供电:

    1.65V ~ 5.5V

  • 电流 - 输出高、低:

    32mA,32mA

  • 逻辑电平 - 低:

    0.7V ~ 0.8V

  • 逻辑电平 - 高:

    1.7V ~ 2V

  • 不同 V、最大 CL 时最大传播延迟:

    4ns @ 5V,50pF

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 供应商器件封装:

    6-SON(1.45x1)

  • 封装/外壳:

    6-UFDFN

  • 描述:

    IC GATE XOR 1CH 3-INP 6SON

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