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SN74AUP1G00DRYR-TP

SINGLE 2-INPUT NAND GATE

Features « Wide supply voltage range from 0.8V to 3.6V « Inputs accept voltages up to 3.6V o lorr Supports partial-power-down mode « Low static power consumption; lcc=0.5pA (Max.) » ESD Protection Exceeds JESD 22 -2000-V Human-Body Model (A114-A) -200-V Machine Model (A115-A) -1000-V Charg

文件:5.50581 Mbytes 页数:10 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

SN74AUP1G00DSF

SN74AUP1G00 Low-Power Single 2-Input Positive-NAND Gate

1 Features 1• ESD Performance Tested Per JESD 22 – 2000-V Human-Body Model (A114-B, Class II) – 1000-V Charged-Device Model (C101) • Available in the Ultra Small 0.64 mm2 Package (DPW) with 0.5-mm Pitch • Low Static-Power Consumption (ICC = 0.9 μA Max) • Low Dynamic-Power Consumption (Cp

文件:2.44241 Mbytes 页数:50 Pages

TI

德州仪器

SN74AUP1G00DSFR

LOW-POWER SINGLE 2-INPUT POSITIVE-NAND GATE

文件:987.18 Kbytes 页数:22 Pages

TI

德州仪器

SN74AUP1G00DSFR

Low-Power Single 2-Input Positive-NAND Gate

文件:1.70707 Mbytes 页数:36 Pages

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更多SN74AUP1G00DRYR-TP供应商 更新时间2025-11-28 11:00:00