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TC74ACT08FN	文件：260.019 Kbytes Page：8 Pages	CMOSDigitalIntegratedCircuitSiliconMonolithicQuad2-InputANDGate	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TC74ACT08FN	文件：239.9 Kbytes Page：6 Pages	CMOSDIGITALINTEGRATEDCIRCUITSILICONMONOLITHIC Quad2-InputANDGate TheTC74ACT08isanadvancedhighspeedCMOS2-INPUTANDGATEfabricatedwithsilicongateanddouble-layermetalwiringC2MOStechnology. ItachievesthehighspeedoperationsimilartoequivalentBipolarSchottkyTTLwhilemaintainingtheCMOSlowpowerdissipation. This	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TC74ACT08FT	文件：260.019 Kbytes Page：8 Pages	CMOSDigitalIntegratedCircuitSiliconMonolithicQuad2-InputANDGate	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TC74ACT08FT	文件：239.9 Kbytes Page：6 Pages	CMOSDIGITALINTEGRATEDCIRCUITSILICONMONOLITHIC Quad2-InputANDGate TheTC74ACT08isanadvancedhighspeedCMOS2-INPUTANDGATEfabricatedwithsilicongateanddouble-layermetalwiringC2MOStechnology. ItachievesthehighspeedoperationsimilartoequivalentBipolarSchottkyTTLwhilemaintainingtheCMOSlowpowerdissipation. This	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TC74ACT08P	文件：260.019 Kbytes Page：8 Pages	CMOSDigitalIntegratedCircuitSiliconMonolithicQuad2-InputANDGate	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TC74ACT08P	文件：239.9 Kbytes Page：6 Pages	CMOSDIGITALINTEGRATEDCIRCUITSILICONMONOLITHIC Quad2-InputANDGate TheTC74ACT08isanadvancedhighspeedCMOS2-INPUTANDGATEfabricatedwithsilicongateanddouble-layermetalwiringC2MOStechnology. ItachievesthehighspeedoperationsimilartoequivalentBipolarSchottkyTTLwhilemaintainingtheCMOSlowpowerdissipation. This	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
U74ACT08	文件：183.21 Kbytes Page：4 Pages	QUAD2-INPUTANDGATE ■DESCRIPTION TheU74ACT08consistsoffour2-INPUTANDGATE,itprovidesthefunctionY=AB,thedeviceisdesignedtointerfacedirectlyHighSpeedCMOSsystemswithTTL,NMOSandCMOSoutputvoltagelevels. ■FEATURES OperationVoltageRange:4.5~5.5V *LowPowerDissipation:IC	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

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