SN54SC6T14-SEP Radiation Tolerant, Hex Schmitt-Trigger Inverters With Integrated Translation

1 Features • Vendor item drawing available, VID V62/24618 • Total ionizing dose characterized at 30 krad (Si) – Total ionizing dose radiation lot acceptance testing (TID RLAT) for every wafer lot to 30 krad (Si) • Single-event effects (SEE) characterized: – Single event latch-up (SEL) immun

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SN54SC6T14-SEP Radiation Tolerant, Hex Schmitt-Trigger Inverters With Integrated Translation

1 Features • Vendor item drawing available, VID V62/24618 • Total ionizing dose characterized at 30 krad (Si) – Total ionizing dose radiation lot acceptance testing (TID RLAT) for every wafer lot to 30 krad (Si) • Single-event effects (SEE) characterized: – Single event latch-up (SEL) immun

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SN54SC6T14-SEP Radiation Tolerant, Hex Schmitt-Trigger Inverters With Integrated Translation

1 Features • Vendor item drawing available, VID V62/24618 • Total ionizing dose characterized at 30 krad (Si) – Total ionizing dose radiation lot acceptance testing (TID RLAT) for every wafer lot to 30 krad (Si) • Single-event effects (SEE) characterized: – Single event latch-up (SEL) immun

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Radiation-tolerant six-bit inverting fixed-direction level translator with Schmitt-trigger inputs

SN54SC6T14-SEP 器件包含六个具有施密特触发输入的独立反相器且支持扩展电压运行，可实现电平转换。每个逻辑门以正逻辑执行布尔函数 Y = A。输出电平以电源电压 (VCC) 为基准，并支持 1.2V、1.8V、2.5V、3.3V 和 5V CMOS 电平。\n\n该输入经设计，具有较低阈值电路，支持较低电压 CMOS 输入的升压转换（例如 1.2V 输入转换为 1.8V 输出或 1.8V 输入转换为 3.3V 输出）。此外，5V 容限输入引脚可实现降压转换（例如 3.3V 至 2.5V 输出）。 提供供应商项目图，VID V62/24618\n \n电离辐射总剂量额定值为 30krad(Si) \n \n每个晶圆批次的辐射批次验收测试电离辐射总剂量 (TID RLAT) 额定值高达 30krad (Si)\n \n\n \n单粒子效应 (SEE) 特性： \n \n单粒子锁定 (SEL) 对于线性能量传递 (LET) 的抗扰度 = 43MeV-cm2/mg\n \n单粒子瞬变 (SET) 额定值为 43MeV-cm2/mg\n \n\n \n1.2V 至 5.5V 的宽工作电压范围\n \n5/3.3/2.5/1.8/1.2V VCC 单电源电压转换门 \n \nTTL 兼容输入： \;

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