SN54SC4T125-SEP Radiation Tolerant, Single Power Supply Quadruple Buffer Translator GATE With 3-State Output CMOS Logic Level Shifter

1 Features • VID V62/23631-01XE • Radiation Tolerant – Single Event Latch-Up (SEL) immune up to 43 MeV-cm2/mg at 125°C – Total Ionizing Does (TID) Radiation Lot Acceptance Testing (RLAT) for every wafer lot up to 30 krad(Si) – Single Event Transient (SET) characterized up to LET = 43 MeV-

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SN54SC4T125-SEP Radiation Tolerant, Single Power Supply Quadruple Buffer Translator GATE With 3-State Output CMOS Logic Level Shifter

1 Features • VID V62/23631-01XE • Radiation Tolerant – Single Event Latch-Up (SEL) immune up to 43 MeV-cm2/mg at 125°C – Total Ionizing Does (TID) Radiation Lot Acceptance Testing (RLAT) for every wafer lot up to 30 krad(Si) – Single Event Transient (SET) characterized up to LET = 43 MeV-

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SN54SC4T125-SEP Radiation Tolerant, Single Power Supply Quadruple Buffer Translator GATE With 3-State Output CMOS Logic Level Shifter

1 Features • VID V62/23631-01XE • Radiation Tolerant – Single Event Latch-Up (SEL) immune up to 43 MeV-cm2/mg at 125°C – Total Ionizing Does (TID) Radiation Lot Acceptance Testing (RLAT) for every wafer lot up to 30 krad(Si) – Single Event Transient (SET) characterized up to LET = 43 MeV-

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抗辐射、四位固定方向电平转换器

SN54SC4T125-SEP 包含四个具有三态输出的独立缓冲器且支持扩展电压运行，可实现电平转换。每个缓冲器以正逻辑执行布尔函数 Y = A。通过对 OE 引脚施加高电平，可以将输出置于高阻态 (Hi-Z)。输出电平以电源电压 (V CC) 为基准，并且支持 1.8V、2.5V、3.3V 和 5V CMOS 电平。\n\n该输入经设计，具有较低阈值电路，支持较低电压 CMOS 输入的升压转换（例如 1.2V 输入转换为 1.8V 输出或 1.8V 输入转换为 3.3V 输出）。此外，5V 容限输入引脚可实现降压转换（例如 3.3V 转 2.5V 输出）。 • VID V62/23631-01XE\n• 单粒子锁定 (SEL) 在 125°C 下的抗扰度可达 43MeV-cm 2/mg\n• 单粒子瞬变 (SET) 额定值高达 LET = 43MeV-cm 2/mg\n• 1.2V 至 5.5V 的宽工作电压范围\n• 升压转换： \n• 1.5V 至 2.5V\n• 3.3V 至 5.0V\n• 降压转换： \n• 5.0V、3.3V 至 2.5V\n• 5.5V 容限输入引脚\n• 速率高达 150Mbps，具有 5V 或 3.3V V CC\n• 增强型航天塑料 \n• Au 键合线和 NiPdAu 铅涂层\n• 制造;

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