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SN54HC03	文件：1.86675 Mbytes Page：33 Pages	SNx4HC03 Quadruple 2-Input NAND Gates with Open-Drain Outputs 1 Features • Wide Operating Voltage Range: 2 V to 6 V • Outputs Can Drive Up To 10 LSTTL Loads • Low Power Consumption, 20-μA Maximum ICC • Typical tpd = 8 ns at 5 V • ±4-mA Output Drive at 5 V • Low Input Current of 1 μA 2 Applications • NAND OD 3 Description This device contains fo 文件：1.86675 Mbytes 页数：33 Pages	TI 德州仪器	TI
SN54HC03	文件：570.13 Kbytes Page：15 Pages	QUADRUPLE2-INPUT POSITIVE-AND GATES WITH OPEN-DRAIN OUTPUTS 文件：570.13 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
SN54HC03	文件：66.78 Kbytes Page：4 Pages	QUADRUPLE 2-INPUT POSITIVE-NAND GATES WITH OPEN-DRAIN OUTPUTS 文件：66.78 Kbytes 页数：4 Pages	TI 德州仪器	TI
SN54HC03	文件：418.51 Kbytes Page：13 Pages	QUADRUPLE 2-INPUT POSITIVE-NAND GATES WITH OPEN-DRAIN OUTPUTS 文件：418.51 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
SN54HC03J	文件：1.86675 Mbytes Page：33 Pages	丝印：SN54HC03J；Package：CDIP(J)；SNx4HC03 Quadruple 2-Input NAND Gates with Open-Drain Outputs 1 Features • Wide Operating Voltage Range: 2 V to 6 V • Outputs Can Drive Up To 10 LSTTL Loads • Low Power Consumption, 20-μA Maximum ICC • Typical tpd = 8 ns at 5 V • ±4-mA Output Drive at 5 V • Low Input Current of 1 μA 2 Applications • NAND OD 3 Description This device contains fo 文件：1.86675 Mbytes 页数：33 Pages	TI 德州仪器	TI
SN54HC03J.A	文件：1.86675 Mbytes Page：33 Pages	丝印：SN54HC03J；Package：CDIP(J)；SNx4HC03 Quadruple 2-Input NAND Gates with Open-Drain Outputs 1 Features • Wide Operating Voltage Range: 2 V to 6 V • Outputs Can Drive Up To 10 LSTTL Loads • Low Power Consumption, 20-μA Maximum ICC • Typical tpd = 8 ns at 5 V • ±4-mA Output Drive at 5 V • Low Input Current of 1 μA 2 Applications • NAND OD 3 Description This device contains fo 文件：1.86675 Mbytes 页数：33 Pages	TI 德州仪器	TI
SN54HC03	文件：300 bytes Page：1 Pages	具有开漏输出的军用 4 通道、2 输入、2V 至 6V 与非门 This device contains four independent 2-input NAND Gates with open-drain outputs. Each gate performs the Boolean function Y = A ● B in positive logic. • Wide Operating Voltage Range: 2 V to 6 V\n• Outputs Can Drive Up To 10 LSTTL Loads\n• Low Power Consumption, 20-µA Maximum ICC \n• Typical tpd = 8 ns at 5 V\n• ±4-mA Output Drive at 5 V\n• Low Input Current of 1 µA;	TI 德州仪器	TI
SN54HC03FK	文件：1.86675 Mbytes Page：33 Pages	SNx4HC03 Quadruple 2-Input NAND Gates with Open-Drain Outputs 1 Features • Wide Operating Voltage Range: 2 V to 6 V • Outputs Can Drive Up To 10 LSTTL Loads • Low Power Consumption, 20-μA Maximum ICC • Typical tpd = 8 ns at 5 V • ±4-mA Output Drive at 5 V • Low Input Current of 1 μA 2 Applications • NAND OD 3 Description This device contains fo 文件：1.86675 Mbytes 页数：33 Pages	TI 德州仪器	TI
SN54HC03_06	文件：418.51 Kbytes Page：13 Pages	QUADRUPLE 2-INPUT POSITIVE-NAND GATES WITH OPEN-DRAIN OUTPUTS 文件：418.51 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
SN54HC03_07	文件：570.13 Kbytes Page：15 Pages	QUADRUPLE2-INPUT POSITIVE-AND GATES WITH OPEN-DRAIN OUTPUTS 文件：570.13 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Supply voltage (Min) (V)：
2
Supply voltage (Max) (V)：
6
Number of channels (#)：
4
Inputs per channel：
2
IOL (Max) (mA)：
5.2
IOH (Max) (mA)：
-5.2
Input type：
Standard CMOS
Output type：
Open-Drain
Features：
High speed (tpd 10- 50ns)
Data rate (Max) (Mbps)：
28
Rating：
Military

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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