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SN54BCT29827B	文件：202.53 Kbytes Page：8 Pages	10-BIT BUFFERS/DRIVERS WITH 3-STATE OUTPUTS • State-of-the-Art BiCMOS Design Significantly Reduces ICCZ • ESD Protection Exceeds 2000 V Per MIL-STD-883C, Method 3015; Exceeds 200 V Using Machine Model (C = 200 pF, R = 0) • 3-State Outputs Drive Bus Lines or Buffer Memory Address Registers • P-N-P Inputs Reduce DC Loading • Flow-Thr 文件：202.53 Kbytes 页数：8 Pages	TI 德州仪器	TI
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