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SN0048HBX	文件：2.38304 Mbytes Page：47 Pages	型号：SN0048HBX；Package：CFP；TPS7H60x3-SP Radiation-Hardness-Assured 1.3A, 2.5A, Half Bridge GaN FET Gate Drivers 1Features •RadiationPerformance: –Radiation-hardness-assurance(RHA)upto totalionizingdose(TID)of100krad(Si) –Single-eventlatchup(SEL),single-event burnout(SEB),andsingle-eventgaterupture (SEGR)immunetolinearenergytransfer(LET) =75MeV-cm2/mg –Single-eventtransi	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
SN0048HBXEVAL-ONLY	文件：2.41584 Mbytes Page：47 Pages	型号：SN0048HBX；Package：CFP；TPS7H60x3-SP Radiation-Hardness-Assured 1.3A, 2.5A, Half Bridge GaN FET Gate Drivers 1Features •RadiationPerformance: –Radiation-hardness-assurance(RHA)upto totalionizingdose(TID)of100krad(Si) –Single-eventlatchup(SEL),single-event burnout(SEB),andsingle-eventgaterupture (SEGR)immunetolinearenergytransfer(LET) =75MeV-cm2/mg –Single-eventtransi	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司

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型号：SN0048HBX；Package：CFP；TPS7H60x3-SP Radiation-Hardness-Assured 1.3A, 2.5A, Half Bridge GaN FET Gate Drivers

1Features •RadiationPerformance: –Radiation-hardness-assurance(RHA)upto totalionizingdose(TID)of100krad(Si) –Single-eventlatchup(SEL),single-event burnout(SEB),andsingle-eventgaterupture (SEGR)immunetolinearenergytransfer(LET) =75MeV-cm2/mg –Single-eventtransi

TI2Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI2

SN0048HBXEVAL-ONLY

文件：2.41584 Mbytes

Page：47 Pages

型号：SN0048HBX；Package：CFP；TPS7H60x3-SP Radiation-Hardness-Assured 1.3A, 2.5A, Half Bridge GaN FET Gate Drivers

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

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更多SN0048HBX供应商更新时间2025-8-3 15:08:00

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