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厂商型号

SMX1J

参数属性

SMX1J 封装/外壳为2-UFDFN;包装为卷带(TR);类别为电路保护的TVS-二极管;SMX1J应用范围:通用;产品描述:TVS DIODE 7.5VWM 20VC 2UQFN

功能描述

TRANSIL
TVS DIODE 7.5VWM 20VC 2UQFN

封装外壳

2-UFDFN

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-11-16 17:02:00

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SMX1J规格书详情

描述 Description

The SMX1J Transil has been designed to protect sensitive equipment against electro-static discharges according to IEC 61000-4-2, MIL STD 883 Method 3015, and electrical over stress such as IEC 61000-4-4 and 5. They are generally for surges below 85 W 10/1000 μs.
The Planar technology makes it compatible with high-end equipment and SMPS where low leakage current and high junction temperature are required to provide reliability and stability over time.
The SMX1J is packaged in μQFN-2L.

特性 Features

Peak pulse power:85 W (10/1000 μs)
800 W (8/20 μs)

Stand off voltage 7.5 V
Unidirectional
Low leakage current:1 μA at 25 °C
2 μA at 85 °C

Operating T
j max: 150 °C
High power capability at T
j max: 78 W
Complies with the following standardsIEC 61000-4-2 level 4:15 kV (air discharge)
8 kV (contact discharge)

MIL STD 883G - Method 3015-7 Class 3B:25 kV HBM (human body model)

简介

SMX1J属于电路保护的TVS-二极管。由ST制造生产的SMX1JTVS - 二极管TVS 二极管是一种半导体器件,可用于限制或阻止特定电压电平的浪涌。该系列产品使用二极管(只能单向导电的元器件)进行设计。TVS 是 Transient Voltage Suppression/Suppressor(瞬态电压抑制/抑制器)的首字母缩写。类型包括转向(轨至轨)或齐纳,具有单向通道、双向通道、电压 – 反关态、电压 – 击穿、电压 – 箝位、电流 – 峰值脉冲、功率 – 峰值脉冲和电源线路保护等特征。

技术参数

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  • 产品编号:

    SMX1J7.5A-TR

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 系列:

    SMXJ, TRANSIL™

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    7.5V

  • 电压 - 击穿(最小值):

    8.3V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    20V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    40A(8/20µs)

  • 功率 - 峰值脉冲:

    800W

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    通用

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    2-UFDFN

  • 供应商器件封装:

    2-µQFN(1.45x1.0)

  • 描述:

    TVS DIODE 7.5VWM 20VC 2UQFN

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