SMX1J中文资料TRANSIL数据手册ST规格书
SMX1J规格书详情
描述 Description
The SMX1J Transil has been designed to protect sensitive equipment against electro-static discharges according to IEC 61000-4-2, MIL STD 883 Method 3015, and electrical over stress such as IEC 61000-4-4 and 5. They are generally for surges below 85 W 10/1000 μs.
The Planar technology makes it compatible with high-end equipment and SMPS where low leakage current and high junction temperature are required to provide reliability and stability over time.
The SMX1J is packaged in μQFN-2L.
特性 Features
Peak pulse power:85 W (10/1000 μs)
800 W (8/20 μs)
Stand off voltage 7.5 V
Unidirectional
Low leakage current:1 μA at 25 °C
2 μA at 85 °C
Operating T
j max: 150 °C
High power capability at T
j max: 78 W
Complies with the following standardsIEC 61000-4-2 level 4:15 kV (air discharge)
8 kV (contact discharge)
MIL STD 883G - Method 3015-7 Class 3B:25 kV HBM (human body model)
简介
SMX1J属于电路保护的TVS-二极管。由ST制造生产的SMX1JTVS - 二极管TVS 二极管是一种半导体器件,可用于限制或阻止特定电压电平的浪涌。该系列产品使用二极管(只能单向导电的元器件)进行设计。TVS 是 Transient Voltage Suppression/Suppressor(瞬态电压抑制/抑制器)的首字母缩写。类型包括转向(轨至轨)或齐纳,具有单向通道、双向通道、电压 – 反关态、电压 – 击穿、电压 – 箝位、电流 – 峰值脉冲、功率 – 峰值脉冲和电源线路保护等特征。
技术参数
更多- 产品编号:
SMX1J7.5A-TR
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
电路保护 > TVS - 二极管
- 系列:
SMXJ, TRANSIL™
- 包装:
卷带(TR)
- 类型:
齐纳
- 电压 - 反向断态(典型值):
7.5V
- 电压 - 击穿(最小值):
8.3V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):
20V
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):
40A(8/20µs)
- 功率 - 峰值脉冲:
800W
- 电源线路保护:
无
- 应用:
通用
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
2-UFDFN
- 供应商器件封装:
2-µQFN(1.45x1.0)
- 描述:
TVS DIODE 7.5VWM 20VC 2UQFN
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