16-Mb RADIATION-HARDENED SRAM

1FEATURES • 20-ns Read, 13.8-ns Write Through Maximum Access Time • Functionally Compatible With Commercial 512K x 32 SRAM Devices • Built-In EDAC (Error Detection and Correction) to Mitigate Soft Errors • Built-In Scrub Engine for Autonomous Correction • CMOS Compatible Input and Output

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16-Mb RADIATION-HARDENED SRAM

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16-Mb RADIATION-HARDENED SRAM

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16MB 防辐射 SRAM

SMV512K32 是一款高性能异步 CMOS SRAM，由 32 位 524,288 个字组成。 可在两种模式：主控或受控间进行引脚选择。 主器件为用户提供了定义的自主 EDAC 擦除选项。 从器件选择采用按要求擦除特性，此特性可由一个主器件启动。 根据用户需要，可提供 3 个读周期和 4 个写周期（描述如下）。 • 20ns 读取，13.8ns 写入（最大存取时间）\n• 内置 EDAC（错误侦测和校正）以减轻软错误\n• CMOS 兼容输入和输出电平，3 态双向数据总线 \n• 辐射性能 放射耐受性是一个基于最初器件标准的典型值。 辐射数据和批量验收测试可用 - 细节请与厂家联系。 \n• TID 抗扰度 > 3e5 rad (Si)\n• 闭锁抗扰度 > LET = 110 MeV (T = 398K)\n• 采用 76 引线陶瓷方形扁平封装\n• 可提供工程评估 (/EM) 样品 这些部件只用于工程评估。 它们的加工工艺为非兼容流程（例如，无预烧过程等），并且只在 25°C 的温度额定值下;

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