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SMUN5211DW1T1G	文件：155.96 Kbytes Page：8 Pages	Dual NPN Bias Resistor Transistors Dual NPN Bias Resistor Transistors R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ NPN Transistors with Monolithic Bias Resistor Network This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a 文件：155.96 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SMUN5211DW1T1G	文件：159.28 Kbytes Page：8 Pages	Dual NPN Bias Resistor Transistors 文件：159.28 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SMUN5211DW1T1G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual NPN Bias Resistor Transistors	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
LMUN5211DW1T1	文件：169.06 Kbytes Page：10 Pages	Dual Bias ResistorTransistors NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network 文件：169.06 Kbytes 页数：10 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
LMUN5211DW1T1G	文件：169.06 Kbytes Page：10 Pages	Dual Bias ResistorTransistors NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network 文件：169.06 Kbytes 页数：10 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MUN5211DW1T1	文件：151.62 Kbytes Page：20 Pages	Dual Bias Resistor Transistors 文件：151.62 Kbytes 页数：20 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
SMUN5211DW1T1G
功能描述：
TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
系列：
*
标准包装：
1
系列：
-
晶体管类型：
NPN 电流 -
集电极(Ic)（最大）：
1A 电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
30V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：
200mV @ 100mA，1A 电流 -
集电极截止（最大）：
100nA 在某 Ic、Vce
时的最小直流电流增益(hFE)：
300 @ 500mA，5V 功率 -
最大：
710mW 频率 -
转换：
100MHz
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：
SOT-23-3（TO-236）
包装：
Digi-Reel®
其它名称：
MMBT489LT1GOSDKR

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