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SMUN5114T1G分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

SMUN5114T1G
厂商型号

SMUN5114T1G

参数属性

SMUN5114T1G 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

功能描述

Digital Transistors (BRT)
TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

文件大小

184.02 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-10 22:19:00

SMUN5114T1G规格书详情

SMUN5114T1G属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置。安森美半导体公司制造生产的SMUN5114T1G晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器,设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作,并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量,从而可降低项目成本。

产品属性

  • 产品编号:

    SMUN5114T1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 5mA,10V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 300µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    SC-70-3(SOT323)

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
SC-70
690000
支持实单/只做原装
询价
onsemi(安森美)
23+
SC70
6000
询价
ON
1707+
SOT323
21000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
onsemi
23+
SC-70,SOT-323
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
询价
ON/安森美
2315+
SOT
3668
优势代理渠道,原装现货,可全系列订货
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ON/安森美
24+
SOT
860000
明嘉莱只做原装正品现货
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1983
纳立只做原装正品13590203865
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ON/安森美
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