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SMUN2230T1G分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
SMUN2230T1G |
| 参数属性 | SMUN2230T1G 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59 |
| 功能描述 | Digital Transistors (BRT) R1 = 1 kOhm, R2 = 1 kOhn |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
144.37 Kbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-16 9:02:00 |
| 人工找货 | SMUN2230T1G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
SMUN2230T1G规格书详情
SMUN2230T1G属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置。由安森美半导体制造生产的SMUN2230T1G晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器，设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作，并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量，从而可降低项目成本。
Digital Transistors (BRT) R1 = 1 kΩ, R2 = 1 kΩ
NPN Transistors with Monolithic Bias Resistor Network
This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base−emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space.
特性 Features
• Simplifies Circuit Design
• Reduces Board Space
• Reduces Component Count
• S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified
and PPAP Capable
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
产品属性
更多- 产品编号：
SMUN2230T1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
3 @ 5mA，10V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 5mA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SC-59
- 描述：
TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
23+ |
SC-59 |
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ON/安森美 |
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ON/安森美 |
22+ |
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201000 |
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询价 | ||
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24+ |
SC-59-3 |
25000 |
ON全系列可订货 |
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