SMUN2111T3G 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 ONSEMI/安森美半导体

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1+	面议

厂家型号：
SMUN2111T3G
产品分类：
芯片
生产厂商：
onsemi(安森美)
库存数量：
7957
产品封装：
SC-59
生产批号：
24+
库存类型：
热卖库存
更新时间：
2025-8-3 23:00:00

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原厂料号：SMUN2111T3G品牌：onsemi(安森美)

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SMUN2111T3G是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置。制造商onsemi(安森美)/onsemi生产封装SC-59/TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的SMUN2111T3G晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器，设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作，并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量，从而可降低项目成本。

芯片型号：
SMUN2111T3G
规格书：
下载下载2
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
中文名称：
安森美半导体公司
内容页数：
12 页
文件大小：
149.93 kb
资料说明：
Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network

产品属性

类型
描述
产品编号：
SMUN2111T3G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
35 @ 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SC-59
描述：
TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

供应商

企业：
深圳市高捷芯城科技有限公司
商铺：
进入商铺留言
联系人：
高捷芯城-敏敏
手机：
13378405761
询价：
电话：
0755-82538261
传真：
0755-82550578
地址：
深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦10层

SMUN2111T3G 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 ONSEMI/安森美半导体

SMUN2111T3G

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