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SMT	文件：508.85 Kbytes Page：5 Pages	SMD TANTALUM CAPACITORS 文件：508.85 Kbytes 页数：5 Pages	RFE RFE international	RFE
SMT	文件：100.85 Kbytes Page：1 Pages	Designer’s Kits 文件：100.85 Kbytes 页数：1 Pages	COILCRAFT 线艺	COILCRAFT
SMT	文件：173.34 Kbytes Page：4 Pages	Compact Coaxial Connectors Compatible with IEC60169-10 (Type SMB) Standard 文件：173.34 Kbytes 页数：4 Pages	JAE 航空电子	JAE
SMT	文件：857.27 Kbytes Page：6 Pages	Sharma Multilayer Ceramic Capacitors 文件：857.27 Kbytes 页数：6 Pages	SHARMA	SHARMA
SMT	文件：1.24767 Mbytes Page：5 Pages	Precision resistors 文件：1.24767 Mbytes 页数：5 Pages	ISABELLENHUETTE	ISABELLENHUETTE
SMAJ150A-AT	文件：3.2336 Mbytes Page：7 Pages	丝印：SMT；Package：DO-214AC；400W Surface Mount Transient Voltage Suppressors Features Glass passivated or planar junction Excellent clamping capability Repetition rate (duty cycle): 0.01 Low profile package and low inductance 400W Peak Pulse power capability at 10×1000μs waveform Fast response time: typically less than 1.0ps from 0V to VBR min High temperature solde 文件：3.2336 Mbytes 页数：7 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
SMT002N13G1E	文件：297.9 Kbytes Page：5 Pages	Advanced MOSFETprocess technology Features and Benefits  Advanced MOSFETprocess technology  Special designed for PWM, load switching and general purpose applications  Ultra low on-resistance with low gate charge  Fast switching and reverse body recovery Description It utilizes the latest processing techniques to achie 文件：297.9 Kbytes 页数：5 Pages	SILIKRON 新硅能微电子	SILIKRON
SMT002NA4G1	文件：308.43 Kbytes Page：5 Pages	Advanced MOSFETprocess technology Features and Benefits  Advanced MOSFETprocess technology  Special designed for PWM, load switching and general purpose applications  Ultra low on-resistance with low gate charge  Fast switching and reverse body recovery Description: It utilizes the latest processing techniques to achi 文件：308.43 Kbytes 页数：5 Pages	SILIKRON 新硅能微电子	SILIKRON
SMT003P18H1	文件：314.4 Kbytes Page：5 Pages	Advanced MOSFETprocess technology Features and Benefits:  Advanced MOSFETprocess technology  Special designed for PWM, load switching and generalpurpose applications  Ultra low on-resistance with low gate charge  Fast switching and reverse body recovery  150℃ operating temperature Description: It utilizes the latest 文件：314.4 Kbytes 页数：5 Pages	SILIKRON 新硅能微电子	SILIKRON
SMT003P26G4	文件：306.78 Kbytes Page：5 Pages	Advanced MOSFETprocess technology Features and Benefits:  Advanced MOSFETprocess technology  Special designed for PWM, load switching and general purpose applications  Ultra low on-resistance with low gate charge  Fast switching and reverse body recovery  150℃ operating temperature Description It utilizes the latest 文件：306.78 Kbytes 页数：5 Pages	SILIKRON 新硅能微电子	SILIKRON

技术参数

额定电压VoltageRating：
400V/300V/250V/125V
最大电压降(mv)Max VoltageDrop：
240
熔化热能I2TMelting Integral(A².S)：
0.3
认证 ●表示已获认证Approvals ○表示认证中：
●

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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