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SMS1200032M

碳化硅MOSFET

HunanSanan

湖南三安

HunanSanan

SMS1200032M2

丝印:MS1200032M2;Package:TO-247-4L;1200V 32mΩ Silicon Carbide Power MOSFET

High blocking voltage with low on-resistance High switching speed with low capacitance Very fast and robust intrinsic body diode with low reverse recovery Very low switching losses Excellent avalanche ruggedness RoHS compliant

文件:1.0979 Mbytes 页数:17 Pages

SANAN

三安光电

SMS1200032MA

碳化硅MOSFET

HunanSanan

湖南三安

HunanSanan

1200032

MULTIPLE LIGHT BEAM SAFETY DEVICES

文件:1.18211 Mbytes 页数:8 Pages

SICK

西克

技术参数

  • Type:

    SiC MOSFETs Discrete device

  • Qualification:

    Industry

  • VDS(max) (V):

    1200

  • ID (A):

    77

  • RDS(on)@Tj=25℃ (mΩ):

    32

  • RDS(on)@Tj=175℃ (mΩ):

    45

  • Tj (max) (℃):

    175

  • Package:

    TO247-4L

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SMS1200032M供应商 更新时间2026-1-28 14:16:00