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SMS1200020M	文件：300 bytes Page：1 Pages	碳化硅MOSFET	HunanSanan 湖南三安	HunanSanan
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技术参数

Type：
SiC MOSFETs Discrete device
Qualification：
Industry
VDS(max) (V)：
1200
ID (A)：
111
RDS(on)@Tj=25℃ (mΩ)：
20
RDS(on)@Tj=175℃ (mΩ)：
37
Tj (max) (℃)：
175
Package：
TO247-4L

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