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SMMJT350T1G数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
SMMJT350T1G |
| 参数属性 | SMMJT350T1G 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 300V 0.5A SOT223 |
| 功能描述 | Bipolar Power Transistors |
| 封装外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-9 23:01:00 |
| 人工找货 | SMMJT350T1G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
SMMJT350T1G规格书详情
简介
SMMJT350T1G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的SMMJT350T1G晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
SMMJT350T1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 50mA，10V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
- 供应商器件封装：
SOT-223（TO-261）
- 描述：
TRANS PNP 300V 0.5A SOT223
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
SOT-223-4 |
1612 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
ON/安森美 |
10+ |
SOT-223 |
880000 |
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询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
SOT223 |
54648 |
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询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
SOT-23 |
20300 |
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询价 | ||
ON Sem |
25+ |
25000 |
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询价 | |||
ON/安森美 |
22+ |
SOT223 |
12000 |
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询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
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ON/安森美 |
22+ |
SOT-223 |
17004 |
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ON |
1836+ |
SOT-223 |
9852 |
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23+ |
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