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SMMBTH10-4LT3G	文件：97.09 Kbytes Page：5 Pages	VHF/UHF Transistor VHF/UHFTransistor NPNSilicon Features •SandNSVPrefixesforAutomotiveandOtherApplications RequiringUniqueSiteandControlChangeRequirements; AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SMMBTH10-4LT3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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SMMBTH10-4LT3G

文件：97.09 Kbytes

Page：5 Pages

VHF/UHF Transistor

VHF/UHFTransistor NPNSilicon Features •SandNSVPrefixesforAutomotiveandOtherApplications RequiringUniqueSiteandControlChangeRequirements; AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

SMMBTH10-4LT3G

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：托盘封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3

ONSEMION Semiconductor

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产品属性

产品编号：
SMMBTH10-4LT3G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
25V
频率 - 跃迁：
800MHz
功率 - 最大值：
225mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 4mA，10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3

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