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SMMBT5551LT1G	文件：183.57 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistors HighVoltageTransistors NPNSilicon Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SMMBT5551LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LMBT5551LT1	文件：114.47 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageTransistors	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMBT5551LT1G	文件：135.91 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageTransistorsRoHSrequirements.	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMBT5551LT1G	文件：114.47 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageTransistors	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBT5551LT1	文件：41.04 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheMMBT5551LT1isdesignedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighBreakdownVoltages.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
MMBT5551LT1	文件：38.95 Kbytes Page：1 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.3W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:180V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	AVICTEK Avic Technology	AVICTEK
MMBT5551LT1	文件：165.54 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageTransistors(NPNSilicon) HighVoltageTransistors NPNSilicon	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBT5551LT1	文件：199.8 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTransistors(NPNSilicon) HighVoltageTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT5551LT1	文件：199.8 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTransistors HighVoltageTransistors NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

产品属性

产品编号：
SMMBT5551LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
200mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 10mA，5V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市瑞卓芯科技有限公司	SMMBT5551LT1G	ON/安森美	22+	SOT23	57000	原装正品	询价
深圳市正纳电子有限公司	SMMBT5551LT1G	ON	22+	SOT23	6000	原装正品可支持验货,欢迎咨询	询价
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更多SMMBT5551LT1G供应商更新时间2025-7-17 14:28:00

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