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SMMBFJ310LT1G分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

SMMBFJ310LT1G
厂商型号

SMMBFJ310LT1G

参数属性

SMMBFJ310LT1G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23

功能描述

JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor
RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

126.88 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-2 12:00:00

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SMMBFJ310LT1G规格书详情

SMMBFJ310LT1G属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由安森美半导体公司制造生产的SMMBFJ310LT1G晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

JFET − VHF/UHF Amplifier Transistor

特性 Features

• Pb−Free Packages are Available

产品属性

更多
  • 产品编号:

    SMMBFJ310LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    N 通道 JFET

  • 增益:

    12dB

  • 额定电流(安培):

    60mA

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON全网最低
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