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SMMBFJ309LT1G分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

SMMBFJ309LT1G
厂商型号

SMMBFJ309LT1G

参数属性

SMMBFJ309LT1G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:JFET N-CH 25V 30MA SOT23

功能描述

JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor N−Channel
JFET N-CH 25V 30MA SOT23

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

187.57 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-4 14:36:00

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SMMBFJ309LT1G规格书详情

SMMBFJ309LT1G属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由安森美半导体公司制造生产的SMMBFJ309LT1G晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

特性 Features

• Drain and Source are Interchangeable

• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique

Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

产品属性

更多
  • 产品编号:

    SMMBFJ309LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    N 通道 JFET

  • 额定电流(安培):

    30mA

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    JFET N-CH 25V 30MA SOT23

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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