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SML100B11	文件：21.12 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
SML100B13	文件：21.13 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
SML100C4	文件：20.28 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
SML100H11	文件：26.94 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
SML100H9	文件：26.96 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
SML100HB06	文件：639.21 Kbytes Page：7 Pages	HIGH PERFORMANCE POWER SEMICONDUCTORS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
SML100J19	文件：23.24 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
SML100J22	文件：23.23 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB

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技术参数

封装：
SML-010
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Type：
Reflector
LED Type：
Standard
Application：
Industrial Equipment
Package size[mm]：
3.0x2.0 (t=1.3)
Emitting color：
Green
Luminous Intensity(Single)(Typ.)[mcd]：
6.3
Number of Brightness Rank：
4
Dominant wave-length λD(Single)(Typ.)[nm]：
555
Forward Voltage VF (Typ.) [V]：
2.2
IF @ VF [mA]：
20
Chip Structure：
GaP
Power Dissipation [mW]：
70
Operating Temperature[°C]：
-30 to 85
Storage Temperature [°C]：
-40 to 85

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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