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SMK0160D

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.52201 Mbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

SMK0160D

SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS

文件:501.21 Kbytes 页数:8 Pages

KODENSHI

可天士

SMK0160D-1

SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS

文件:501.21 Kbytes 页数:8 Pages

KODENSHI

可天士

SMK0160I-1

SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS

文件:538.63 Kbytes 页数:8 Pages

KODENSHI

可天士

SMK0160IS-1

Advanced N-Ch Power MOSFET

SWWITCHINNG REGGULATOOR APPLICATIOONFeeatures\n• Drain-Sourrce breakdown voltage : BVDSS=600V (Min.)\n• Low gate ccharge: Qg=3.9nC (Typ..)\n• Low drain--source On resistance: RDS(on)=11.5Ω (Max.)\n• 100% avalaanche tested\n• RoHS comppliant device

Kodenshi-AUK

SMK0160IS

High Voltage Power MOSFETs

Kodenshi-AUK

技术参数

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N-ch

  • VDSS (V):

    600

  • ID (A):

    0.3

  • PD (W):

    0.625

  • RDS(on)Max. (Ω)at VGS=10V:

    11.5

  • Qg Typ.(nC)at VGS=10V:

    3.9

  • Ciss Typ.(pF):

    131

  • VGS(th)@ID=250uA_Min. (V):

    2

  • VGS(th)@ID=250uA_Max. (V):

    4

  • Features:

    Advance DMOS Technology

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更多SMK0160供应商 更新时间2026-1-17 13:31:00