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SMG2361P

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Isolated Package • High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm • P-Channel • 175 °C Operating Temperature • Dynamic dV/dt Rating • Low Thermal Resistance • Lead (Pb)-free Available

文件:1.12685 Mbytes 页数:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SMG2361P

P-Channel Enhancement MOSFET

文件:450.64 Kbytes 页数:4 Pages

SECOS

喜可士

SMG2361P_15

P-Channel Enhancement MOSFET

文件:450.64 Kbytes 页数:4 Pages

SECOS

喜可士

SMG2361P

MosFET

Secos

喜可士

技术参数

  • Type:

    P

  • VDSS (V):

    -60

  • VGS (V):

    ± 20

  • RDS(on)(Ohms):

    210 (mΩ)

  • ID (A):

    -3.4

  • PD (W):

    1.3

  • Package:

    SC-59

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SMG2361P供应商 更新时间2025-11-30 14:00:00