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SMG2359P	文件：1.12868 Mbytes Page：10 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES • Isolated Package • High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm • P-Channel • 175 °C Operating Temperature • Dynamic dV/dt Rating • Low Thermal Resistance • Lead (Pb)-free Available 文件：1.12868 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SMG2359P	文件：331.55 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement MOSFET 文件：331.55 Kbytes 页数：4 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
SMG2359P_15	文件：503.47 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement MOSFET 文件：503.47 Kbytes 页数：4 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
SMG2359P	文件：300 bytes Page：1 Pages	MosFET	Secos 喜可士	Secos

技术参数

Type：
P
VDSS (V)：
-60
VGS (V)：
± 20
RDS(on)(Ohms)：
381 (mΩ)
ID (A)：
-1.7
PD (W)：
1.3
Package：
SC-59

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SMG2359P供应商更新时间2025-10-13 11:51:00

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