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SMG2306N	文件：493.63 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SMG2306N	文件：566.07 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Mos.FET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SMG2306NE	文件：483.61 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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SPN2306W	文件：229.77 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	SYNC-POWERSYNC POWER Crop. 擎力科技擎力科技股份有限公司	SYNC-POWER
SSF2306	文件：493.97 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SSF2306	文件：332.23 Kbytes Page：4 Pages	30VN-ChannelMOSFET DESCRIPTION TheSSF2306usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V. GENERALFEATURES ●VDS=30V,ID=5A RDS(ON)	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
SSF2306	文件：309.18 Kbytes Page：5 Pages	Batteryprotection DESCRIPTION TheSSF2306usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V. GENERALFEATURES ●VDS=30V,ID=5A RDS(ON)	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微电子新硅能微电子(苏州)有限公司	SILIKRON

详细参数

型号：
SMG2306N
制造商：
SECOS
制造商全称：
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Mos.FET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SMG2306N供应商更新时间2025-5-20 10:02:00

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