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SMDJ18A-H

丝印:PETH;Package:DO-214AB;Automotive and High Reliability TVS Diodes

YINTShanghai Yint Electronic Co., Ltd

音特电子上海音特电子有限公司

SMDJ18A-HRA

航空电子和高可靠性瞬态抑制二极管; • 高可靠性设备,可追溯制造和装配批次 \n• 参照MIL-PRF-19500提供增强的可靠性筛选选项。 请参考筛选流程表,了解筛选选项的更多详情\n• 表面封装可优化面板空间\n• 小尺寸封装\n• 内置式应力消除\n• 典型最高温度系数ΔVBR = 0.1% x VBR@25°C x ΔT\n• 钝化玻璃芯片接点\n• 10×1000μs波形时的峰值脉冲功率为3000W,重复频率(工作循环):0.01%\n• 快速的响应时间: 从0伏特至VBR最小值通常小于1.0ps\n• 出色的箝位能力\n• 增量浪涌电阻较低\n• 标准情况下,在电压高于12V时,IR小于2μA\n• 保证高温焊接: 接线端260°C/40秒\n• 塑料封装已获UL易燃性分级94V-O认证\n• 亚光无铅镀锡\n• 无卤素,且符合RoHS标准\n;

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

SMDJ18A-HR

Package:DO-214AB,SMC;包装:卷带(TR) 类别:电路保护 TVS - 二极管 描述:TVS DIODE 18VWM 29.2VC DO214AB

ETC

ETC

SMDJ18A-HRA

Package:DO-214AB,SMC;包装:卷带(TR) 类别:电路保护 TVS - 二极管 描述:TVS DIODE 18VWM 29.2VC DO214AB

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SMDJ18A-HRAT7

Package:DO-214AB,SMC;包装:卷带(TR) 类别:电路保护 TVS - 二极管 描述:TVS DIODE 18VWM 29.2VC DO214AB

ETC

ETC

技术参数

  • Watts (W):

    3000

  • Peak Pulse Current (Ipp) 10x1000 (A):

    102.7

  • Breakdown Voltage (MIN VBR@IT ) (V):

    20

  • Breakdown Voltage (VBR@IT) (V):

    22.1

  • SO.\>Ir @Vso( μA):

    2

  • On-State Current (IT) (mA):

    1

  • Max Temperature (deg C):

    150

  • PP.\>Max Clamp Voltage (Vc) (V):

    29.2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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DO-214ABSMC
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更多SMDJ18A-H供应商 更新时间2025-7-30 15:14:00