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SMDB12Ce3/TR7中文资料TVS Array数据手册Microchip规格书

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厂商型号

SMDB12Ce3/TR7

参数属性

SMDB12Ce3/TR7 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为电路保护的TVS-二极管;SMDB12Ce3/TR7应用范围:通用;产品描述:TVS DIODE 12VWM 19VC 8-SO

功能描述

TVS Array
TVS DIODE 12VWM 19VC 8-SO

封装外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 美国微芯科技公司

数据手册

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更新时间

2025-11-1 23:00:00

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SMDB12Ce3/TR7规格书详情

描述 Description

This TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR (TVS) array is packaged in an SO-8 configuration giving protection to 4 unidirectional or bi-directional data or interface lines. It is designed for use in applications where protection is required at the board level from voltage transients caused by electrostatic discharge (ESD) as defined in IEC 61000-4-2, electrical fast transients (EFT) per IEC 61000-4-4 and effects of secondary lightning. These TVS arrays have peak pulse power ratings of 300 watts (SMDA) and 500 watts (SMDB) for an 8/20 µsec pulse. They are suitable for protection of sensitive circuitry consisting of TTL, CMOS, DRAM’s, SRAM’s, HCMOS, HSIC and low-voltage interfaces from 3.3 volts to 24 volts

简介

SMDB12Ce3/TR7属于电路保护的TVS-二极管。由Microchip制造生产的SMDB12Ce3/TR7TVS - 二极管TVS 二极管是一种半导体器件,可用于限制或阻止特定电压电平的浪涌。该系列产品使用二极管(只能单向导电的元器件)进行设计。TVS 是 Transient Voltage Suppression/Suppressor(瞬态电压抑制/抑制器)的首字母缩写。类型包括转向(轨至轨)或齐纳,具有单向通道、双向通道、电压 – 反关态、电压 – 击穿、电压 – 箝位、电流 – 峰值脉冲、功率 – 峰值脉冲和电源线路保护等特征。

技术参数

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  • 产品编号:

    SMDB12CE3/TR7

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 系列:

    TVSarray™

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    12V

  • 电压 - 击穿(最小值):

    13.3V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    19V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    5A(8/20µs)

  • 功率 - 峰值脉冲:

    300W

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    通用

  • 不同频率时电容:

    95pF @ 1MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SO

  • 描述:

    TVS DIODE 12VWM 19VC 8-SO

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