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SMDA05CDR2G	文件：96.43 Kbytes Page：4 Pages	Bi-directional TVS Array for High-Speed Data Line Protection Bi-directionalTVSArrayforHigh-SpeedDataLineProtection TheSMDA05CtransientvoltagesuppressorseriesisdesignedtoprotectequipmentattachedtouptofourhighspeedcommunicationlinesfromESD,EFT,andlightning. Features: •SO−8Package •PeakPower−300W8x20μS •ESDRat	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
SMDA05CDR2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 5VWM 11VC 8-SOIC	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

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Bi-directional TVS Array for High-Speed Data Line Protection

Bi-directionalTVSArrayforHigh-SpeedDataLineProtection TheSMDA05CtransientvoltagesuppressorseriesisdesignedtoprotectequipmentattachedtouptofourhighspeedcommunicationlinesfromESD,EFT,andlightning. Features: •SO−8Package •PeakPower−300W8x20μS •ESDRat

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SMDA05CDR2G

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包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 5VWM 11VC 8-SOIC

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产品属性

产品编号：
SMDA05CDR2G
制造商：
onsemi
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
5V（最大）
电压 - 击穿（最小值）：
6V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
11V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
17A（8/20µs）
功率 - 峰值脉冲：
300W
电源线路保护：
无
应用：
通用
不同频率时电容：
350pF @ 1MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
TVS DIODE 5VWM 11VC 8-SOIC

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