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SMBTA14	文件：123.64 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Darlington Transistors NPN Silicon Darlington Transistors ● High DC current gain ● High collector current ● Low collector-emitter saturation voltage 文件：123.64 Kbytes 页数：4 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SMBTA14	文件：71 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon Darlington Transistor High collector current Low collector-emitter saturation voltage 文件：71 Kbytes 页数：6 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SMBTA14	文件：531.07 Kbytes Page：7 Pages	丝印：s1N；Package：SOT23；NPN Silicon Darlington Transistor 文件：531.07 Kbytes 页数：7 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SMBTA14	文件：142.43 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Darlington Transistors 文件：142.43 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
SMBTA14_07	文件：71 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon Darlington Transistor High collector current Low collector-emitter saturation voltage 文件：71 Kbytes 页数：6 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SMBTA14_11	文件：531.07 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon Darlington Transistor 文件：531.07 Kbytes 页数：7 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SMBTA14	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Silicon Darlington Transistors	Infineon 英飞凌	Infineon
SMBTA14 / MMBTA14	文件：300 bytes Page：1 Pages	达林顿管 PNP Silicon Darlington Transistor · High collector current\n · Low collector-emitter saturation voltage\n · Pb-free (RoHS compliant) package\n · Qualified according AEC Q101;	Infineon 英飞凌	Infineon
SMBTA14E6327HTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT-23	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Polarity ：
NPN (Single)
VCEO max：
30.0V
Ptot max：
330.0mW
hFE min：
20000.0
IC max：
300.0mA
IC ：
300.0mA
VCE ：
5.0V
VCBO max：
30.0V
VEBO max：
10.0V
ICM max：
500.0mA
ICBO max：
100.0nA
fT ：
125.0MHz
VCE(sat) max：
1.5V

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更多SMBTA14供应商更新时间2025-10-8 11:18:00

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