| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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INFINEONN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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6年
留言
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INFINEON/英飞凌23+ |
6000 |
SOT23-6 |
专业配单原装正品假一罚十 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)N/A |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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4年
留言
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INFINEON/英飞凌SCT595 |
49300 |
24+ |
只做全新原装进口现货 |
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15年
留言
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INFINEONBGA |
125000 |
23+ |
原装正品 实单价格更优势 库位: |
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7年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT23 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)N/A |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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4年
留言
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Infineon(英飞凌) |
25650 |
23+ |
新到现货,只做原装进口 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)N/A |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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1年
留言
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INFINEON |
14262 |
26+ |
原装进口,实单必成 所有型号都有 |
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4年
留言
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INFSOT-23 |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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5年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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15年
留言
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INFINEON/英飞凌NA |
21000 |
26+ |
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一级代理优势现货,全新正品直营店 |
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11年
留言
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INFINEON/英飞凌NA |
26800 |
2223+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
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6年
留言
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ADISOT-23 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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15年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
20300 |
25+ |
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INFINEON/英飞凌原装特价SMBTA92即刻询购立享优惠#长期有货 |
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7年
留言
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InfineonSOT-23 |
30000 |
19+ |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT-23 |
3022 |
24+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
43048 |
24+ |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
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1年
留言
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ONNA |
12000 |
25+ |
原装现货 |
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SMBTA06TR价格
SMBTA06TR价格:¥0.0000品牌:Surge
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SMBTA92LT1G中文资料Alldatasheet PDF
更多SMBTA 06制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Transistor NPN AF 80V 500mA SO
SMBTA 06 E6327功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 80 V 500 mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
SMBTA 06 E6327XT制造商:Infineon Technologies 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
SMBTA 06 E6433功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
SMBTA 06UPN E6327功能描述:两极晶体管 - BJT NPN / PNP Silicon AF TRANSISTOR ARRAY RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
SMBTA 14 E6327功能描述:达林顿晶体管 AF Darlington NPN 30V 0.3A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
SMBTA 42 E6327功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 300 V 500 mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
SMBTA 42 E6433功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Silicon Hi-Volt TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
SMBTA 56 E6327功能描述:两极晶体管 - BJT AF TRANS GP BJT PNP 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
SMBTA06制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Transistor NPN AF 80V 500mA SOT23


























