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SMBJ20D-M3/H	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-214AA，SMB；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 20VWM 32VC DO214AA	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BYG20D-M3	文件：96.69 Kbytes Page：6 Pages	UltrafastAvalancheSMDRectifier FEATURES •Lowprofilepackage •Idealforautomatedplacement •Glasspassivatedpalletchipjunction •Lowreversecurrent •Softrecoverycharacteristics •Ultrafastreverserecoverytime •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualified •Materialcate	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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SMBJ20D-M3/H

文件：100 bytes

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Package：DO-214AA，SMB；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 20VWM 32VC DO214AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

BYG20D-M3

文件：96.69 Kbytes

Page：6 Pages

UltrafastAvalancheSMDRectifier

FEATURES •Lowprofilepackage •Idealforautomatedplacement •Glasspassivatedpalletchipjunction •Lowreversecurrent •Softrecoverycharacteristics •Ultrafastreverserecoverytime •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualified •Materialcate

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

产品属性

产品编号：
SMBJ20D-M3/H
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
系列：
TransZorb®
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
20V
电压 - 击穿（最小值）：
22.5V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
32V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
18.8A
功率 - 峰值脉冲：
600W
电源线路保护：
无
应用：
通用
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-214AA，SMB
供应商器件封装：
DO-214AA（SMBJ）
描述：
TVS DIODE 20VWM 32VC DO214AA

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