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SMBJ200CA	文件：706.27 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR FEATURES Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace Typicalmaximumtemperaturecoefficient△VBR=0.1xVBR@25°Cx△T Lowprofilepackage Built-instrainrelief Glasspassivatedjunction Excellentclampingcapability RepetitionRate(dutycycle):0.01 Fast	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
SMBJ200CA	文件：898.34 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountTransientVoltageSuppressorPower600W	JUXINGGuangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd. 广东钜兴电子广东钜兴电子科技有限公司	JUXING
SMBJ200CA	文件：542.75 Kbytes Page：7 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR600WATTPEAKPOWER DESCRIPTION The SMBJseriessupportbothUniandBidirection. FEATURES AvailableinSMBPackage	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
SMBJ200CA	文件：348.82 Kbytes Page：4 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR Features ·Forsurfacemountedapplications inordertooptimizeboardspace ·Lowprofilespace ·Veryfastresponsetime ·Lowinductance ·Excellentclampingcapability ·600Wpeakpulsepowercapability witha10/1000μswaveform ·MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020 ·Componentinacco	DAESAN Daesan Electronics Corp.	DAESAN
SMBJ200CA	文件：4.79545 Mbytes Page：8 Pages	3.3To440V600WSurfaceMountTransientVoltageSuppressors(TVS) Features Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace Lowleakage UniandBidirectionalunit Glasspassivatedjunction Lowinductance Excellentclampingcapability TypicalIRlessthan1μAabove10V 600WPeakpowercapabilityat10×1000μswaveformRepetition rate	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
SMBJ200CA	文件：300.47 Kbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORDIODE Features GlassPassivatedDieConstruction Uni-andBi-DirectionalVersionsAvailable ExcellentClampingCapability FastResponseTime PlasticMaterial:ULFlammability ClassificationRating94V-0	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
SMBJ200CA	文件：332.16 Kbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR GlassPassivatedDieConstruction 600WPeakPulsePowerDissipation 5.0V-200VStandoffVoltage Uni-andBi-DirectionalVersionsAvailable ExcellentClampingCapability FastResponseTime PlasticCaseMaterialhasULFlammability ClassificationRating94V-O “-A”isanAEC-Q101qualifiedde	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
SMBJ200CA	文件：201.22 Kbytes Page：4 Pages	Surfacemounttransientvoltagesuppressorpower600watts FEATURES •Forsurfacemountedapplicationsinorderto optimizeboardspace. •Lowprofilepackage •Glasspassivatedjunction •Lowinductance •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory Flammability	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
SMBJ200CA	文件：874.38 Kbytes Page：7 Pages	TransientVoltageSuppressors(TVS)DataSheet Features Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace Lowprofilepackage Built-instrainrelief Glasspassivatedjunction Lowinductance Excellentclampingcapability 600Wpeakpulsepowercapabilityat10/1000μswaveform,repetitionrate(dutycycle):0.01% Fast	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
SMBJ200CA	文件：229.55 Kbytes Page：12 Pages	600WTransientVoltageSuppressor 1.Generaldescription 600Wuni-andbi-directionalTransientVoltageSuppressor(TVS)inaSMBSurface-Mounted Device(SMD)plasticpackage,designedfortransientvoltageprotection. 2.Featuresandbenefits •Ratedpeakpulsepowerat10/1000μswaveform:PPPM=600W •Reversestandoff	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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产品属性

产品编号：
SMBJ200A-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
带盒（TB）
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
200V
电压 - 击穿（最小值）：
224V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
324V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
1.9A
功率 - 峰值脉冲：
600W
电源线路保护：
无
应用：
通用
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-214AA，SMB
供应商器件封装：
DO-214AA（SMB）
描述：
TVS DIODE 200VWM 324VC DO214AA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市华斯顿科技有限公司	SMBJ200A-TP	MCC	25+23+	SMB	19431	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	SMBJ200A-TP	MCC/美微科	23+	SMB	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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