丝印：BEQ；Package：SMBJ；Transient Voltage Suppressor Diode Series

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BOURNS

伯恩斯

Transil

文件：133.63 Kbytes 页数：10 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

大功率TVS

大功率浪涌TVS产品旨在保护电子电路免受EOS（10/1000µs）的影响，如雷击和电感负载开关。该设计还可用于防止电子设备因EOS（电气过度应力）和雷击而发生故障或损坏。其工业标准测试条件为 IEC61000-4-5 (8/20µs)。

AOS

美国万代

600 W, 12 V TVS in SMB

The SMBJ series are designed to protect sensitive equipment against electrostatic discharges according to IEC 61000-4-2 and MIL STD 883, method 3015, and electrical overstress according to IEC 61000-4-4 and 5. This device is more generally used against surges below 600 W (10/1000 μs).\n\n The Planar • Peak pulse power: 600 W (10/1000 μs) and 4 kW (8/20 μs) \n• Stand-off voltage range from 5 V to 188 V \n• Unidirectional and bidirectional types \n• Low leakage current: 0.2 μA at 25 °C and 1 μA at 85 °C \n• Operating Tj max: 150 °C \n• High power capability at Tj max.: up to 515 W (10/1000 µs) \n;

ST

意法半导体

SMBJ12CA: 600 Watt Transient Voltage Suppressors

SMBJ12CA 玻璃钝化结\n在 10/1000 µs 波形下，具有 600 W 的峰值脉冲功率能力。\n极佳的箝位能力\n低增量浪涌电阻\n快速响应时间： 单向一般 1.0 ps 之内可从 0 V 升至 BV；双向一般为 5.0 ns\n 10 V 以上时，IR一般小于 1.0 μA\nUL 认证编号 E258596\nUL94V-0 级阻燃\n可用于双极性应用\n双向型采用 CA 后缀\n电气特性同时适用于两个方向;

ONSEMI

安森美半导体

Package：DO-214AA，SMB；包装：卷带（TR）剪切带（CT） 类别：电路保护 TVS - 二极管 描述：TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO214AA

TSC

台湾半导体

Package：DO-214AA，SMB；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：电路保护 TVS - 二极管 描述：TVS DIODE 12VWM 19.9VC SMB

Bourns Inc.

Package：DO-214AA，SMB；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：电路保护 TVS - 二极管 描述：TVS DIODE 12VWM 19.9VC SMB

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