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SMBJ110A	文件：323.65 Kbytes Page：3 Pages	600Watts Surface Mount Transient Voltage Suppressor Features ✧Forsurfacemountedapplication ✧Lowprofilepackage ✧Built-instrainrelief ✧Glasspassivatedjunction ✧Excellentclampingcapability ✧Fastresponsetime:Typicallylessthan1.0ps from0volttoBVmin. ✧TypicalIRlessthan1μAabove10V ✧Hightemperaturesoldering	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
SMBJ110A	文件：95.52 Kbytes Page：5 Pages	Marking：PE；Package：DO-214AA；Surface Mount TRANSZORB Transient Voltage Suppressors FEATURES •Lowprofilepackage •Idealforautomatedplacement •Glasspassivatedchipjunction •Availableinuni-directionalandbi-directional •600Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitiverate(dutycycle):0.01 •Excellentclampingcapability •Veryfastr	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SMBJ110A	文件：95.37 Kbytes Page：5 Pages	Marking：PE；Package：DO-214AA；Surface Mount TRANSZORB Transient Voltage Suppressors FEATURES •Lowprofilepackage •Idealforautomatedplacement •Glasspassivatedchipjunction •Availableinuni-directionalandbi-directional •600Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitiverate(dutycycle):0.01 •Excellentclampingcapability •Veryfastr	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SMBJ110A	文件：2.64735 Mbytes Page：5 Pages	SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR Stand-offVoltage:5.0-440VoltsPeakpulsepower:600Watts FEATURE ♦Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace ♦Lowprofilepackage ♦Built-instrainrelief ♦Glasspassivatedjunction ♦Lowinductance ♦Excellentclampingcapability ♦600Wpeak	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
SMBJ110A	文件：332.16 Kbytes Page：5 Pages	SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR GlassPassivatedDieConstruction 600WPeakPulsePowerDissipation 5.0V-200VStandoffVoltage Uni-andBi-DirectionalVersionsAvailable ExcellentClampingCapability FastResponseTime PlasticCaseMaterialhasULFlammability ClassificationRating94V-O “-A”isanAEC-Q101qualifiedde	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
SMBJ110A	文件：2.30057 Mbytes Page：6 Pages	Marking：PE；Package：DO-214AA；Surface Mount Transient Voltage Suppressors Features Excellentclampingcapability Lowleakagecurrent Lowcapacitance Highsurgecapability Glasspassivatedchip Epoxyresinpackage Built-instrainrelief Willnotfatigue RoHSCompliant Fastresponsetime: typicallylessthan1.0psfrom0VoltstoVBRmin Applications Teleco	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 三阳电子三阳电子有限公司	SAMYANG
SMBJ110A	文件：229.55 Kbytes Page：12 Pages	Marking：AF2；Package：SMB；600 W Transient Voltage Suppressor 1.Generaldescription 600Wuni-andbi-directionalTransientVoltageSuppressor(TVS)inaSMBSurface-Mounted Device(SMD)plasticpackage,designedfortransientvoltageprotection. 2.Featuresandbenefits •Ratedpeakpulsepowerat10/1000μswaveform:PPPM=600W •Reversestandoff	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
SMBJ110A	文件：4.79545 Mbytes Page：8 Pages	Marking：PE；Package：DO-214AA；3.3 To 440V 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors (TVS) Features Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace Lowleakage UniandBidirectionalunit Glasspassivatedjunction Lowinductance Excellentclampingcapability TypicalIRlessthan1μAabove10V 600WPeakpowercapabilityat10×1000μswaveformRepetition rate	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
SMBJ110A	文件：348.82 Kbytes Page：4 Pages	Marking：PE；Package：DO-214AA；TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR Features ·Forsurfacemountedapplications inordertooptimizeboardspace ·Lowprofilespace ·Veryfastresponsetime ·Lowinductance ·Excellentclampingcapability ·600Wpeakpulsepowercapability witha10/1000μswaveform ·MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020 ·Componentinacco	DAESAN Daesan Electronics Corp.	DAESAN
SMBJ110A	文件：706.27 Kbytes Page：4 Pages	Marking：PE；Package：DO-214AA；SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR FEATURES Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace Typicalmaximumtemperaturecoefficient△VBR=0.1%xVBR@25°Cx△T Lowprofilepackage Built-instrainrelief Glasspassivatedjunction Excellentclampingcapability RepetitionRate(dutycycle):0.01	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

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产品属性

产品编号：
SMBJ110
制造商：
Littelfuse Inc.
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
系列：
SMBJ
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
110V
电压 - 击穿（最小值）：
115.65V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
185.85V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
3.4A
功率 - 峰值脉冲：
600W
电源线路保护：
无
应用：
通用
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-214AA，SMB
供应商器件封装：
DO-214AA（SMBJ）
描述：
TVS DIODE 110VWM 185.85VC DO214

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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