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3EZ19D5	文件：41.6 Kbytes Page：3 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:3.9-400Volts PD:3Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.9to400Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent MECHANICALDATA Case:DO-41Moldedplastic Epoxy:UL94V-Orateflameretardant *Lead:AxialleadsolderableperMI	SYNSEMI SynSemi，Inc.	SYNSEMI
3EZ19D5	文件：150.42 Kbytes Page：2 Pages	3WSILICONZENERDIODE FEATURES: ZenervoltageRange3.9to200V Highsurgecurrentrating *3Wattsdissipationinanormally1wattpackage	JGDJinan Gude Electronic Device 济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司	JGD
3EZ19D5	文件：349.595 Kbytes Page：3 Pages	3W19VTAIWANSUNMATESEMICONDUCTORCO.,LIMITED	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
3EZ19D5	文件：69.94 Kbytes Page：2 Pages	SILICON3WATTZENERDIODES DESCRIPTION The3EZ3.9D5thru3EZ200D5seriesofaxial-leaded3.0wattZenersprovidesvoltageregulationselectionswith5tolerancesfrom3.9to200voltsinaDO-41plasticpackagesize.OtherZenervoltagetolerancesarealsoavailablebychangingthesuffixnumbertothetolerancedesiredsu	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
3EZ19D5	文件：37.65 Kbytes Page：3 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:3.9-200Volts PD:3Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.9to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent Pb/RoHSFree MECHANICALDATA Case:DO-41Moldedplastic Epoxy:UL94V-0rateflameretardant Lead:Axiallead	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
3EZ19D5	文件：738.07 Kbytes Page：4 Pages	3WattsSurfaceMountZenerDiode FEATURES •GlassPassivatedChip •LowLeakage •Built-inStrainRelief •LowInductance •HighPeakReversePowerDissipation •ForUseinStabilizingandClippingCircuitswithHighPowerRating	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
3EZ19D5	文件：738.07 Kbytes Page：4 Pages	3WattsSurfaceMountZenerDiode	SECELECTRONICS SEC Electronics Inc.	SECELECTRONICS
3EZ19D5	文件：184.03 Kbytes Page：3 Pages	SILICONZENERDIODES	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
3EZ19D5	文件：221.2 Kbytes Page：3 Pages	LowZenerImpedanceundersmallcurrent ■Features ●LowZenerImpedanceundersmallcurrent ●HighReliability ●SolderResistance250℃/10S，0.375”（9.5mm）fromthebody	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
3EZ19D5	文件：179.79 Kbytes Page：3 Pages	3WattsAxialLeadedZenerDiodes Features ●CompleteVoltageRange3.9to400Volts ●Highpeakreversepowerdissipation ●Highreliability ●Lowleakagecurrent	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE

技术参数

IR (mA)：
0.0005
VR (V)：
14.4
PD (W)：
3.0
VZ (V)：
19
ZZT (Ω)：
7.0
IZT (mA)：
40
ZZK (Ω)：
750
IZK (mA)：
0.25
Package Qty：
Tape
FIT：
30; Tj=100℃

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