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MZP4749AG	文件：83.44 Kbytes Page：6 Pages	3WattDO-41Surmetic30ZenerVoltageRegulators	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PE4749	文件：273.83 Kbytes Page：2 Pages	RPBNCFemaleBulkheadConnectorClamp/SolderAttachmentForRG59,RG62,.480inchDHole	PASTERNACKPasternack Enterprises, Inc. 帕斯特纳克	PASTERNACK
SI4749	文件：3.97516 Mbytes Page：302 Pages	Si47XXPROGRAMMINGGUIDE	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
SI4749	文件：1.38865 Mbytes Page：20 Pages	Si474XANTENNA,SCHEMATIC,LAYOUT,ANDDESIGNGUIDELINES	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
SI4749	文件：817.13 Kbytes Page：15 Pages	IntroducingHigh-PerformanceFMRDSDataReceiverICs	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
Si4749	文件：10.08153 Mbytes Page：164 Pages	ThankyouforpurchasingtheSiliconLaboratories	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
SI4749	文件：2.08176 Mbytes Page：68 Pages	Si470X/1X/2X/3X/4XEVALUATIONBOARDTESTPROCEDURE Introduction ThepurposeofthisdocumentistodescribethetestproceduresusedinSiliconLaboratoriesfortheSi470x/1x/2x/3x/4xevaluationboards(EVB).ItisalsointendedtoenablecustomerstoexactlyreplicateSiliconLaboratories’testenvironmentsothatvariancesincustomers’andS	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
SMA4749	文件：332.95 Kbytes Page：3 Pages	1.0WattsSurfaceMountZenerDiode	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SMA4749	文件：318.18 Kbytes Page：4 Pages	1.0WattsSurfaceMountZenerDiode VOLTAGE6.2V~100V ●FEATURES .Forsurfacemountedapplications .1.0Wpowerdissipation .Lowreversecurrent .Ideallysuitedforautomatedassemblyprocesses .Epitaxialconstruction	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SMA4749A	文件：164.72 Kbytes Page：3 Pages	ZenerDiodes	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
SMA4749A	文件：151.61 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountZenerDiodes1W SurfaceMountZenerDiodes1W	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
SMA4749A	文件：149.04 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountZenerDiodes Features ◆Glasspassivatedchip ◆Lowleakage ◆Built-instrainrelief ◆Lowinductance ◆Highpeakreversepowerdissipation ◆Lead-Freecomponent ◆Foruseinstabilizingandclippingwithhighpowerrating	SOCAYSocay Electornics Co., Ltd. 硕凯电子硕凯电子股份有限公司	SOCAY
SMA4749A	文件：352.45 Kbytes Page：3 Pages	1WGLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODE FEATURES ●Glasspassivatedchip ●Lowleakage ●Built-instrainrelief ●Lowinductance ●Highpeakreversepowerdissipation ●Lead(Pb)-freecomponent ●Foruseinstabilizingandclippingcircuitswithhighpower	CHENG-YICHENG-YI ELECTRONIC CO., LTD. 辰頤電子辰頤電子有限公司	CHENG-YI
SMA4749A	文件：149.04 Kbytes Page：5 Pages	SMA4728A-SZ1330ASeriesVZ:3.3To330VPD:1W Features ◆Glasspassivatedchip ◆Lowleakage ◆Built-instrainrelief ◆Lowinductance ◆Highpeakreversepowerdissipation ◆Lead-Freecomponent ◆Foruseinstabilizingandclippingwithhighpowerrating	SOCAYSocay Electornics Co., Ltd. 硕凯电子硕凯电子股份有限公司	SOCAY
SMA4749A	文件：2.05377 Mbytes Page：3 Pages	1WSiliconPlanarZenerDiodes FEATURE •Standardzenervoltagetoleranceis±5. •VoltageRange3.3to100Volts •Lowzenerimpedance •Lowregulationfactor •Glasspassivatedjunction •Highreliability	JUXINGGuangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd. 广东钜兴电子广东钜兴电子科技有限公司	JUXING
SMA4749A	文件：261.35 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountZenerDiodes	ANOVAAnova Technologies CO., LTD. 林朋科技	ANOVA
SMA4749A	文件：966.08 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSiliconZenerDiodes	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
SMA4749A	文件：313.63 Kbytes Page：6 Pages	ZENERDIODE1WWIDEZENERVOLTAGE3.3VTO330V DESCRIPTION The SMA4728A~SMA4777AareavailableinSMA package. FEATURES ⚫Totalpowerdissipation:Max.1W. ⚫Widezenerreversevoltagerange3.3Vto 330V. ⚫Smallplasticpackagesuitableforsurface mounteddesign. ⚫AvailableinSMApackage MECHANICALDATA Case:SMA Term	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
SMA4749A	文件：434.47 Kbytes Page：4 Pages	Smallplasticpackagesuitableforsurfacemounteddesign	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
SMA4749A	文件：485.54 Kbytes Page：3 Pages	PLASTIC-ENCAPSULATEZENERDIODE	NIUHANG Dongguan City Niuhang Electronics Co.LTD	NIUHANG

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更多SMAF4749A供应商更新时间2024-6-19 16:00:00

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